北京时间8月4日，闪迪（SNDK.O）和SK海力士（000660.KS）宣布，两家公司通过OCP（开放计算项目）推出了首套HBF（高带宽闪存）标准规范。
闪迪和SK海力士都属于全球前五大NAND闪存厂商。两家公司于今年2月开始合作推动HBF标准化工作，此次发布意味着HBF标准化工作取得新进展。
而HBF作为HBM（高带宽内存）之后备受期望的一种面向AI计算的新型存储，已引起广泛关注。这种新技术可能会改变行业竞争格局，还有分析人士认为其市场规模可能超过HBM。
HBM之后的存储“新星”
HBF是介于固态硬盘和HBM之间的新型存储层级，是HBM之外的补充。以往HBM带宽表现突出但成本高、容量有限，固态硬盘容量充裕但速度太慢，HBF正好填补了空缺，可帮助承接容量扩展任务和控制整体存储成本，被认为适用于AI推理场景。
存储厂商展开HBM竞争的同时，HBF作为一类新存储形态，近期受到越来越多关注。虽然HBM属于一种DRAM（动态随机存取存储器），HBF属于一种NAND闪存，两者不是同一种存储介质，但HBF也采用了与HBM类似的垂直堆叠方式来提升容量和带宽，且两者都是为了满足AI计算需求，被认为可与计算芯片一同封装。
闪迪此前介绍，HBF可以紧密配合HBM的带宽，在相近成本下提供相当于HBM8~16倍的容量。HBF在物理尺寸、功耗和堆叠高度上与HBM4（第六代高带宽内存解决方案）相近，但每16层堆叠可提供高达512GB的容量。
有"HBM之父"之称的韩国科学技术院教授金正浩（Kim Joungho）已对HBF寄予厚望。
今年早些时候，金正浩表示，HBM是一种处理即时计算的“热存储”，HBF则是管理海量历史数据的“冷存储”。HBM决定速度，HBF决定容量。他将HBM比喻为书架，将HBF比喻为图书馆，在图书馆内，人们可以从书架上快速取出图书。金正浩认为，AI性能竞争此前一直由GPU主导，但未来存储器将变得更加关键。由于HBM无法应对急剧增长的需求，行业将不可避免地采用HBF。
对于前景，SK海力士在一篇新闻稿中表示，行业预测包括HBF在内的复杂存储解决方案将在2030年左右开始加速增长。金正浩则预测，HBF商业化将在2027年底至2028年实现，HBF初期将用于推理，结合HBM和HBF的混合存储器则可能成为未来的标准配置，到2038年，HBF的需求将超过HBM。
据美银预测，HBM市场将从2025年的346亿美元增长至2026年546亿美元，并增长至2030年的2460亿美元。如果按照金正浩的预测，未来HBF市场规模将可能达到千亿美元规模。
美股8月3日，闪迪涨6.03%，盘后涨3.2%。韩股SK海力士今日盘中跌超3%。
开启新一轮竞速
HBF的诞生也可能改变存储竞争格局。
此前HBM主要是三大DRAM厂商SK海力士、三星电子和美光的天下，而HBF所属的NAND闪存领域，市场相对分散，厂商数量更多，除了SK海力士、三星电子和美光，还包括闪迪、西部数据、铠侠、长江存储等。这也意味着，在HBF领域，玩家可能会更多。
一些NAND闪存厂商已经在布局HBF。除了参与制定标准，闪迪还有生产计划。闪迪采用了CBA技术（一种CMOS直接键合阵列），计划于今年年底向客户提供首批HBF样品，并于2027年初推出首批搭载HBF的AI推理设备样品。
SK海力士则于今年早些时候提出了名为“H3”的架构，这种架构将HBM和HBF整合到统一的设计中，并列部署在GPU旁边，这种方案的能效比高于纯HBM方案。
有消息称，SK海力士与三星电子对HBF采取不同态度，SK海力士在探索HBF与HBM搭配的方案以解决AI推理系统的容量限制，三星电子则试图围绕AI推理重塑存储格局，HBF作为其中的一环，定位为比HBM更有成本效益的方案。此前有市场消息称长江存储也计划开发HBF技术，但该公司尚未公开披露相关信息。
长江存储在3D堆叠方面已有技术积累。混合键合被认为有可能用于HBF制造，而长江存储通过晶栈Xtacking技术制造3D NAND闪存，在混合键合方向走得较早。
除了闪迪，还有更多HBF产品有望明年面世。TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋告诉记者，HBF可以在AI推理环节部分取代内存和HBM的功能，让一些长文的Token（词元）放到固态硬盘上，以优化成本，帮助更多AI推理服务落地。英伟达和谷歌正在与三星、铠侠就相关类似产品线（XL Flash，Z NAND）合作，预计相关产品会在明年初发布。
不过，敖国锋表示，HBF产品线的技术难度也比较高，目前只看到闪迪和SK海力士有相关的技术支持量产。HBF产品线的劣势在于生产周期较久，达到9个月。此外，生产空间达到正常产线的3倍，因此必须优化传输效能并增加产线寿命。
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